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IXFP36N30P3

Name: IXYS IXFP36N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP36N30P3
Price: 12.46 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFP36N30P3

Fabricante N.º:

IXFP36N30P3

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChHiPerFET-Polar3 TO-220AB/FP

Hoja de datos:

IXFP36N30P3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	300 V
Id - Corriente de drenaje continua:	36 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	110 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	30 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	347 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	17 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	39 ns
Serie:	Polar3
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	36 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns
Peso de la unidad:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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