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IXFP26N65X2

Name: IXYS IXFP26N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP26N65X2
Price: 19.73 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFP26N65X2

Fabricante N.º:

IXFP26N65X2

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 26A N-CH X2CLASS

Hoja de datos:

IXFP26N65X2 Hoja de datos

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	S/19.73	S/5,919.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	26 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	130 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	45 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	460 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	9.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	53 ns
Serie:	IXFP26N65X2
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

X2-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS X2-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are N-channel enhancement mode, avalanche-rated MOSFETs. The X2-Class MOSFETs offer high power density, space savings and are easy to mount. The MOSFETs are available in international standard packages, including TO-263, TO-220, and TO-247.