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IXFN80N50Q2

Name: IXYS IXFN80N50Q2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN80N50Q2
Price: 133.4 PEN
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

747-IXFN80N50Q2

Fabricante N.º:

IXFN80N50Q2

Fabricante:

IXYS

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/133.40	S/40,020.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, + 30 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	890 W
Serie:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	11 ns
Altura:	9.6 mm
Longitud:	38.23 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	25 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	60 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	29 ns
Ancho:	25.42 mm
Peso de la unidad:	30 g