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IXFK120N30P3

Name: IXYS IXFK120N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK120N30P3
Price: 73.61 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFK120N30P3

Fabricante N.º:

IXFK120N30P3

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Hoja de datos:

IXFK120N30P3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/73.61	S/73.61
	S/46.98	S/469.80
	S/46.75	S/4,675.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-264-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	300 V
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	27 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	150 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.13 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	IXFK120N30
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	10 g

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CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

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Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

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