IXFA76N15T2-TRL

IXYS
747-IXFA76N15T2-TRL
IXFA76N15T2-TRL

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA76N15T2 TRL

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 800   Múltiples: 800
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
S/10.70 S/8,560.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
76 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
97 nC
- 55 C
+ 175 C
350 W
Enhancement
TrenchT2
Reel
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 14 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 50 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 19 ns
Serie: TrenchT2
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 25 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
Peso de la unidad: 4 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

TrenchT2™ Standard/HiPerFET™ Power MOSFETs

Littelfuse TrenchT2™ Standard and HiPerFET™ Power MOSFETs are enhancement mode, single- or dual-channel MOSFETs offering high current carrying capabilities (up to 600A). These devices feature a low drain-source on resistance (3.5mΩ to 22mΩ) and gate charge (25.5nC to 178nC) within a wide -55°C to +175°C operating temperature range. Available in various compact packages, the TrenchT2 MOSFETs are ideal for low voltage, high current power conversion systems.