IXBF55N300

IXYS
747-IXBF55N300
IXBF55N300

Fabricante:

Descripción:
IGBTs High Voltage High Gain BIMOSFET

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 300   Múltiples: 25
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/403.92 S/121,176.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
ISOPLUS i4-PAC-3
Through Hole
Single
3 kV
2.7 V
- 25 V, 25 V
86 A
357 W
- 55 C
+ 150 C
Very High Voltage
Tube
Marca: IXYS
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Corriente de fuga puerta-emisor: +/- 200 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 25
Subcategoría: IGBTs
Nombre comercial: BIMOSFET
Peso de la unidad: 5 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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