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IXBF42N300

Name: IXYS IXBF42N300
Brand: IXYS
SKU: 747-IXBF42N300
Price: 258.23 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXBF42N300

Fabricante N.º:

IXBF42N300

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BiMOSFET ISOPLUS i4-PAC co-pack device

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	ISOPLUS-i4-PAK-3
Nombre comercial:	BIMOSFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	6.500 g

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ECCN:: EAR99

High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high L_di/dt voltage transients from inflicting damage to the device.