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IX4352NE

Name: IXYS IX4352NE
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-IX4352NE
Price: 16.7 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IX4352NE

Fabricante N.º:

IX4352NE

Fabricante:

IXYS Integrated Circuits

Descripción:

Controladores de puertas 9A Low Side SiC MOSFET & IGBT Driver, 16-Pin SOIC

Ciclo de vida:

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	S/16.70	S/16.70
	S/9.26	S/92.60
	S/9.23	S/461.50
	S/7.47	S/747.00
	S/6.62	S/1,655.00
	S/6.11	S/3,055.00
	S/5.64	S/5,640.00
	S/5.57	S/13,925.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Gate Drivers
Tipo:	Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-16
Número de controladores:	6 Driver
Número de salidas:	3 Output
Corriente de salida:	9 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	13 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	25 V
Configuración:	Non-Inverting
Tiempo de subida:	10 ns
Tiempo de caída:	10 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	IX4352NE
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS Integrated Circuits
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Voltaje de entrada - Máx.:	5.5 V
Voltaje de entrada - Mín.:	0 V
Tipo lógico:	CMOS, TTL
Tiempo de retardo de apagado máximo:	125 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	125 ns
Corriente de suministro operativa:	19 mA
Tipo de producto:	Gate Drivers
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	SiC

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

IX4352NE 9A Low Side SiC MOSFET & IGBT Drivers

IXYS IX4352NE 9A Low Side SiC MOSFET and IGBT Gate Drivers are designed to drive SiC MOSFETs and high-power IGBTs and feature separate 9A source and sink outputs, allowing tailored turn-on and turn-off timing while minimizing switching losses. An internal negative charge regulator provides a user-selectable negative gate drive bias for improved dV/dt immunity and faster turn-off. Desaturation detection circuitry senses a SiC MOSFET overcurrent condition and initiates a soft turn-off, preventing a potentially damaging dV/dt event. The IN non-inverting logic input is TTL- and CMOS-compatible, and internal level shifters provide the necessary bias to accommodate negative gate drive bias voltages. Protections also include undervoltage lockout (UVLO) detection and thermal shutdown. An open drain FAULT output signals a fault condition to the microcontroller. The XYS IX4352NE modules come in a thermally enhanced 16-pin narrow SOIC package.