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IS66WV51216EBLL-55TLI

Name: ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66WV512EBLL55TLI
Price: 14.56 PEN
Availability: InStock

Mouser N.º:

870-66WV512EBLL55TLI

Fabricante N.º:

IS66WV51216EBLL-55TLI

Fabricante:

ISSI

Descripción:

Tamaño de memoria RAM (SRAM) 8Mb Pseudo Tamaño de memoria RAM (SRAM) Async 512Kx16 55ns

Hoja de datos:

IS66WV51216EBLL-55TLI Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:
Tamaño de memoria:	8 Mbit
Organización:	512 k x 16
Tiempo de acceso:	55 ns
Tipo de interfaz:	Parallel
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.5 V
Corriente de suministro - Máx.:	28 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Marca:	ISSI
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Serie:	IS66WV51216EBLL
Cantidad de empaque de fábrica:	135
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Peso de la unidad:	2.870 g

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Models

IS66WV51216EBLL-55TLI Symbol & Footprint by SnapMagic

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
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JPHTS:: 854232019
TARIC:: 8542324500
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ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.