GS8161E18DGD-250

GSI Technology
464-GS8161E18DGD-250
GS8161E18DGD-250

Fabricante:

Descripción:
Tamaño de memoria RAM (SRAM) 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/98.44 S/98.44
S/91.20 S/912.00
S/88.32 S/2,208.00
S/86.14 S/3,101.04
S/77.27 S/8,345.16
S/74.89 S/18,872.28
S/71.66 S/36,116.64
1,008 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
GSI Technology
Categoría de producto: Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:  
18 Mbit
1 M x 18
5.5 ns
250 MHz
Parallel
3.6 V
2.3 V
210 mA, 230 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
BGA-165
Tray
Marca: GSI Technology
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Tipo de memoria: SDR
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: SRAM
Serie: GS8161E18DGD
Cantidad de empaque de fábrica: 36
Subcategoría: Memory & Data Storage
Nombre comercial: SyncBurst
Tipo: DCD Pipeline/Flow Through
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b

SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

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