EPC2307

EPC
65-EPC2307
EPC2307

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Modelo ECAD:
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En existencias: 14,254

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/19.77 S/19.77
S/13.16 S/131.60
S/9.42 S/942.00
S/8.95 S/4,475.00
S/8.49 S/8,490.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/7.28 S/21,840.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
200 V
63 A
10 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
10.1 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 30.300 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99