EPC2106

65-EPC2106
EPC2106

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
0

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En pedido:
2,500
Se espera el 17/03/2026
Plazo de entrega de fábrica:
18
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/10.35 S/10.35
S/6.66 S/66.60
S/4.59 S/459.00
S/3.69 S/1,845.00
S/3.61 S/3,610.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
S/3.08 S/7,700.00
S/3.02 S/15,100.00
25,000 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-9
N-Channel
2 Channel
100 V
1.7 A
70 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
730 pC, 730 pC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Configuración: Dual
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Peso de la unidad: 3 mg
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99