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MMFTP3401

Name: Diotec Semiconductor MMFTP3401
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP3401
Price: 1.05 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-MMFTP3401

Fabricante N.º:

MMFTP3401

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, SOT-23, -30V, -4A, 150C, P

Hoja de datos:

MMFTP3401 Hoja de datos (PDF)

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Plazo de entrega de fábrica:: 8

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S/-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/1.05	S/1.05
	S/0.654	S/6.54
	S/0.409	S/40.90
	S/0.30	S/150.00
	S/0.269	S/269.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.195	S/585.00
	S/0.163	S/1,467.00
	S/0.156	S/3,744.00
	S/0.14	S/6,300.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	65 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	700 mV
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MMFTP3401
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Transconductancia hacia delante - Mín.:	7 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	MMFTN/P
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	45 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Peso de la unidad:	39 mg

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Hoja de datos

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SPICE Models

SPICE Model Download (Cierre)

Full Material Declaration (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.