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DMHC3025LSD-13

Name: Diodes Incorporated DMHC3025LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMHC3025LSD-13
Price: 4.9 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMHC3025LSD-13

Fabricante N.º:

DMHC3025LSD-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS

Hoja de datos:

DMHC3025LSD-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/4.90	S/4.90
	S/3.11	S/31.10
	S/2.05	S/205.00
	S/1.64	S/820.00
	S/1.37	S/1,370.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/1.28	S/3,200.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	6 A, 4.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms, 50 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	11.7 nC, 11.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Quad
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8.7 ns, 13.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns, 4.9 ns
Serie:	DMHC3025
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel, 2 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	17.5 ns, 28.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11.2 ns, 7.5 ns
Peso de la unidad:	750 mg

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ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.