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CE3512K2

Name: CEL CE3512K2
Brand: CEL
SKU: 551-CE3512K2
Price: 8.41 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

551-CE3512K2

Fabricante N.º:

CE3512K2

Fabricante:

CEL

Descripción:

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

Hoja de datos:

CE3512K2 Hoja de datos (PDF)

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	S/8.41	S/8.41
	S/5.64	S/56.40
	S/4.63	S/463.00
	S/4.01	S/2,005.00
	S/3.89	S/19,450.00
	S/3.80	S/38,000.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CE3512K2-C1

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

S/6.50

Mín.:

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CEL

Fabricante N.º:

CE3512K2-C1

Descripción:

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	CEL
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Tipo de transistor:	pHEMT
Tecnología:	GaAs
Frecuencia de trabajo:	12 GHz
Ganancia:	13.7 dB
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	4 V
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 3 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Dp - Disipación de potencia :	125 mW
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	MICRO-X-4
Empaquetado:	Bulk
Marca:	CEL
Configuración:	Single
Transconductancia hacia delante - Mín.:	54 mS
Voltaje de corte puerta-fuente:	- 750 mV
NF - Figura de ruido:	0.3 dB
Tipo de producto:	RF JFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	16.473 mg

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.