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ADL8124ACPZN-R7

Name: Analog Devices Inc. ADL8124ACPZN-R7
Brand: Analog Devices
SKU: 584-ADL8124ACPZN-R7
Price: 695.98 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

584-ADL8124ACPZN-R7

Fabricante N.º:

ADL8124ACPZN-R7

Fabricante:

Analog Devices

Descripción:

Amplificador de RF 2 to 20GHz LNA w/ on-chip bias choke

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

ADL8124ACPZN-R7 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Analog Devices Inc.
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	1 GHz to 20 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	3.3 V
Corriente de suministro operativa:	55 mA
Ganancia:	15 dB
NF - Figura de ruido:	2.1 dB
Tipo:	Low Noise Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFCSP-8
Tecnología:	GaAs
P1dB: punto de compresión:	15.5 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	29 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Marca:	Analog Devices
Kit de desarrollo:	EVAL-ADL8124
Pérdida de retorno de entrada:	13.5 dB
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	900 mW
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits

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CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

ADL8124 Integrated Low Noise Amplifiers (LNAs)

Analog Devices ADL8124 Integrated Low Noise Amplifiers (LNAs) are high-performance, dual-channel LNAs optimized for applications operating in the 1GHz to 20GHz frequency range. Designed using advanced GaAs pHEMT technology, the Analog Devices ADL8124 delivers a low 2.1dB (typical) noise figure and a typical gain of 15dB across a wide bandwidth, making these LNAs ideal for demanding RF and microwave systems such as test equipment, instrumentation, radar, and communication systems.