ALD1101SAL

Name: Advanced Linear Devices ALD1101SAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD1101SAL
Price: 16.78 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

585-ALD1101SAL

Fabricante N.º:

ALD1101SAL

Fabricante:

Advanced Linear Devices

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel Pair

Hoja de datos:

ALD1101SAL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/16.78	S/839.00
	S/15.38	S/1,538.00
	S/13.16	S/6,580.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Advanced Linear Devices
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	75 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Advanced Linear Devices
Configuración:	Dual
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.01 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	ALD1101S
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Peso de la unidad:	74 mg