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IPW60R024CFD7XKSA1

Name: Infineon IPW60R024CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R024CFD7XKS
Price: 57.06 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPW60R024CFD7XKS

Fabricante N.º:

IPW60R024CFD7XKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	77 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	24 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	183 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	320 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	AT
País de origen:	DE
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	IPW60R024CFD7
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	IPW60R024CFD7 SP002621050
Peso de la unidad:	6 g